晶体管

电压：1,700,2,500,4,500 v

采用专有的薄片XPT™技术和最先进的技术设计IGBT.过程中，这些器件显示出诸如降低热阻、低尾电流、低能量损耗和高速开关等品质。

电压：1,200 V.
当前的：600 A.

LittelfuseIGBT.模块提供现代的高效率和快速切换速度IGBT.采用健壮而灵活的格式的技术。用于电源控制应用，Littelfuse提供了一个扩展的组合…

电压：30 V.
当前的：0 a - 44 a

HS8K11是开关应用的标准MOSFET。·导通电阻低。·无铅电镀;通过无铅认证。无卤。包装编码:HSML3030L10端子数:10极性:Nch+Nch…

电压：0 V - 120 V.
当前的：0 a - 5 a

可在具有小型信号，薄和大功率的各种包装中提供，广泛覆盖市场。

电压: 12、50、60伏
当前的：0.1,0.5,1a

数字的晶体管是由罗姆首先在市场上发明的，哪个是晶体管结合内置电阻为方便数字电路。该产品段正在变得进一步广泛......

QC962-8A是一个混合集成的IGBT.设计用于驱动N频道的驾驶员IGBT.模块在任何门放大器的应用。该装置提供了输入和输出之间所需的电气隔离。

QP12W05S-37是一种混合集成IGBT.司机专为驾驶而设计IGBT.模块。该设备是完全隔离的栅极驱动电路，由最佳隔离的栅极驱动放大器和隔离的栅极驱动电路组成。

电压V: 13
当前的：25马

特点 - 内置隔离的DC-DC电源;单电源驱动拓扑 - 3750VAC的高隔离电压 - 输入信号频率高达20kHz - 内置故障电路，具有故障反馈的引脚 - 驱动信号忽略......

电压: 8 v - 35 v

HRC12蓝牙模块是手机与发电机组数据通信的过渡模块。通过RS485与发电机组控制器相连。通过手机APP获取机组信息，控制机组启动/停止。产品……

电压：45 V.

描述：中央半导体BCX51，BCX52和BCX53类型是PNP硅晶体管由外延平面工艺制造，在表面安装封装中模制的环氧树脂，专为高电流普通而设计......

电压: 50 V

描述：中央半导体CMKT3920（两个单一NPN晶体管)是一个双组合在节省空间的SOT-363 ULTRAmini™包，专为小信号通用放大器和开关应用。标志着……

电压: 50 V

描述：中央半导体CMPT5086，CMPT5086B和CMPT5087是硅PNP晶体管由外延平面工艺制造，环氧树脂模压在表面贴装封装，设计用于需要…

电压: 4,500、5,200 v
当前的：3,000,1300,2000 a

StakPak是一个高功率绝缘栅极的家族晶体管（IGBT）先进的模块壳体中的压力包和二极管，可确保多器件堆叠中的均匀芯片压力。虽然最常见的......

电压：7.5 V.

...乐队手持式无线电输出级为700-800 MHz手持式无线电通用6 W驱动器，用于ISM和广播最终阶段晶体管

OptiMOS™P-channel mosfts 60V in dak package代表电池管理的新技术…

电压：20 V.
当前的：100,82 a

东芝提供广泛的双极晶体管适用于各种应用，包括射频（RF）和电源装置。

当前的：0 a - 10 a

瑞萨晶体管支持从需要超小尺寸到大电流或放大应用的各种应用。此外，由于巨大的努力，芯片的大小最小化了......

ST提供基于Popower（立式智能电源）技术的各种汽车级智能3和5针低侧开关（Omnifet）。这项专有技术允许整合完整的数字和模拟控制和......

电压: 250、500伏
当前的: 10,43

Fairchild呈现出最新系列的汽车点火与IGBT。它专门设计用于拥有市场上所有设备的最高钳位能量密度和低饱和电压。提供最佳性能和临时......

电压: 50 V
当前的: 0.8

直流电流增益hFE最大。描述:TO-92, 50V, 0.8A, NPN双极晶体管IC（a）：0.8 pd（w）：0.625封装：至-92极性：NPN状态：Active TJ Max。（°C）：150 VCBO（V）：50 VCE ......

...用于新设计Housingsemitop 3（55x31x12）（llxbbxhh）55x31x12 switchessix包在A6技术中的V600 ICnom中的vcesIGBT.（超快）

电压：0.24 V - 3.5 V.

NPN, PNP和互补晶体管双极NPN和PNP的广泛组合晶体管。

Vishay是世界上一体的低功耗MOSFET制造商。Vishay Siliconix Power MOSFET产品系列包括30多种封装类型的设备，包括Chipscale MicroFoot®和热先进的PowerPak®家庭。......

电压：1,200 V.
当前的：10,25 A

战壕+战场停止IGBT.技术•10ps短路能力•Versât)与正温度系数•低电感情况•快速和软反向恢复反并行FWD•隔离铜基板…

特点：由于导通状态电压的正温度系数，通过（XPT™）设计的正温度系数而容易并行，可实现： - 短路额定10μs。- 极低的栅极电荷 - 低EMI - ...

电压：2.7 V.
当前的: 1 mA - 20 mA

具有在1mA-20mA时提供良好的RF性能的微电流设备。AT-320xx容纳在各种封装中，非常适合寻呼，蜂窝/ PC和其他RF应用。nf = 1db，增益= 14db，在3V，2mA;p1db = 13dbm在...

...硅双极射频晶体管和砷化镓场效应晶体管。GaAs场效应晶体管RF晶体管由于低噪音数字的优异组合和增强的优异组合，是基站LNA的第一或第二阶段的理想选择。

电压: 20、50伏

N沟道MOSFET和NPN晶体管在一个封装低导通电阻非常低的栅极阈值电压，1.0V最大低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏超小表面贴装包......

电压：110,265 V.

描述:TOPSwitch-HX集成了700v功率MOSFET，高压开关电流源，PWM控制，振荡器，热关闭电路，故障保护和其他控制电路到单片器件上。降低系统……