双极晶体管

电压：600,650 v
当前的：4 a - 80 a

Rohm的产品必威体育app官方下载是实现低VCE（SAT）和Rohm沟槽门和薄晶片技术的低开关损耗。

电压：0 V - 120 V.
当前的：0 a - 5 a

可在具有小型信号，薄和大功率的各种包装中提供，广泛覆盖市场。

电压：12,50,60 V
当前的：0.1,0.5,1a

数字的晶体管由Rohm首先在市场上发明，这是晶体管结合内置电阻为方便数字电路。该产品段正在变得进一步广泛......

电压：1,700,2,500,4,500 v

使用专有的薄晶圆XPT™技术和最先进的设计设计IGBT.工艺，这些器件显示出质量，诸如降低的耐热电阻，低尾电流，低能量损失和高速切换......

电压：1,200 V.
当前的：600 A.

littelfuse.IGBT.模块提供现代的高效率和快速切换速度IGBT.以强大而灵活的格式技术。用于电源控制应用，Littelfuse提供扩展的产品组合...

QC962-8A是一个混合集成的IGBT.设计用于驱动N频道的驾驶员IGBT.任何栅极放大器应用中的模块。该设备提供输入和输出之间所需的电气隔离...

QP12W05S-37是一种混合集成IGBT.司机专为驾驶而设计IGBT.模块。该设备是完全隔离的栅极驱动电路，由最佳隔离的栅极驱动放大器和隔离的栅极驱动电路组成。

电压：13 V.
当前的：25马

特点 - 内置隔离的DC-DC电源;单电源驱动拓扑 - 3750VAC的高隔离电压 - 输入信号频率高达20kHz - 内置故障电路，具有故障反馈的引脚 - 驱动信号忽略......

电压：60 V.

描述：中央半导体BCV47是硅NPN Darlington晶体管由外延平面工艺制造，在表面安装封装中模制的环氧树脂，专为需要极其的应用而设计

电压：45 V.

描述：中央半导体BCX51，BCX52和BCX53类型是PNP硅晶体管由外延平面工艺制造，在表面安装封装中模制的环氧树脂，专为高电流普通而设计......

电压：50 V.

描述：中央半导体CMKT3920（两个单一NPN晶体管）在节省空间SOT-363 Ultramini™包中是一种双重组合，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。标记......

电压：4,500,5,200 v
当前的：3,000,1300,2000 a

Stakpak是一家大型电源绝缘门双极晶体管（IGBT）先进的模块壳体中的压力包和二极管，可确保多器件堆叠中的均匀芯片压力。虽然 ...

电压：650 V.
当前的：38 A.

650 V，28个硬开关Trenchstop™5 S5IGBT.在一个小脚印到-220包中，可以解决10 kHz和40 kHz之间的应用，以提供高电流密度，高效率，更快的上市时间......

电压：20 V.
当前的：100,82 a

东芝提供广泛的双极晶体管适用于各种应用，包括射频（RF）和电源装置。

当前的：0 a - 10 a

瑞萨晶体管支持从需要超小尺寸到大电流或放大应用的各种应用。此外，由于巨大的努力，芯片的大小最小化了......

SLLIMM智能电源模块属于IPM系列，允许优化的硅芯片组合并采用3个主逆变器块：功率级（短路崎岖的IGBT和续流二极管），驱动......

电压：250,500 V
当前的：10,43 A

Fairchild呈现出最新系列的汽车点火与IGBT。它专门设计用于拥有市场上所有设备的最高钳位能量密度和低饱和电压。提供最佳性能和临时......

...用于新设计Housingsemitop 3（55x31x12）（llxbbxhh）55x31x12 switchessix包在A6技术中的V600 ICnom中的vcesIGBT.（超快）

电压：0.24 V - 3.5 V.

NPN，PNP和互补晶体管广泛的投资组合双极NPN和PNP.晶体管。

电压：1,200 V.
当前的：10,25 A

功能•沟槽+提交停止IGBT.技术•10PS短路能力•versât）具有正温度系数•低电感盒•快速和软反向恢复反并联FWD•隔离铜底板......

特点：特点：由于导通导电型XPT设计（Xtreme Light Punch）的正温度系数而容易并行，导致： - 短路额定电路10微秒。- 非常低的栅极电荷 - ......

电压：20,50 V

N沟道MOSFET和NPN晶体管在一个封装低导通电阻非常低的栅极阈值电压，1.0V最大低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏超小表面贴装包......