MOSFET晶体管盾系列

权力 为汽车应用

ST提供多种基于VIPower(垂直智能电源)技术的汽车级智能3和5针低侧开关(OMNIFET)。该专利技术允许集成完整的数字和模拟控制和保护电路，驱动垂直功率MOSFET，所有在同一芯片上。低侧开关，其集成的额外功能，是电源开关，可以以安全的方式处理高电流，并符合严酷的汽车环境。它们只需要简单的TTL逻辑输入(或5引脚开关的CMOS逻辑输入)。这种设备是电源- mosfet引脚到引脚兼容，保证实时负载控制，并防止过温，因此保护整个板。我们最新的5针设备也提供诊断功能。低侧开关设计工作在-40到+150°C。ST的低侧开关产品组合包括单和双驱动器，数字状态和导通电阻值从10 mΩ到300 mΩ。这些多功能设备解决了汽车车身电子中的许多电源应用，并可在各种各样的封装中提供。