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FET晶体管
CMPFJ175
描述：中央半导体CMPFJ175和CMPFJ176是在SOT-23外壳中制造的环氧模制P沟道JFET，专为低级放大器应用而设计。标记代码：CMPFJ175：6W CMPFJ176：6x
FET晶体管
CMPFJ176
电压：30 V.
描述：中央半导体CMPFJ175和CMPFJ176是在SOT-23外壳中制造的环氧模制P沟道JFET，专为低级放大器应用而设计。标记代码：CMPFJ175：6W CMPFJ176：6x
FET晶体管
ATF-33143
特点超低噪音PHEMT。该过程经过优化，为临界蜂窝/ PCS基站和其他无线RF应用，高部分的一致性和优异的可靠性提供了非常低的噪声系数。ATF-33143 ......
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FET晶体管
ATF-35143
ATF-35143是一种高动态范围，噪音低噪音，储存在4引线SC-70表面安装塑料封装中。
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FET晶体管
ATF-511P8
ATF-511P8是单电压高线性，低噪声E-PHEMT，位于8引脚LPCC（JEDEC DFP-N）包装中。该器件在50MHz至6 GHz频率范围内展示出色的RF性能，功率效率和产品一致性。
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