硅晶体管

电压：30 V.
当前的：0 a - 44 a

HS8K11是用于开关应用的标准MOSFET。·低导通电阻。·无铅电镀;通过无铅认证。无卤。规格包装编号:HSML3030L10端子数:10极性:Nch+Nch…

电压: 0 v - 120 v
当前的: 0 a - 5 a

具有小信号、薄功率、高功率等特点的多种封装，广泛覆盖市场。

电压: 0 v - 400 v
当前的: 0 a - 6 a

具有小信号、薄型、大功率等特点的多种封装，广泛覆盖市场。

电压: 12, 50 v
当前的: 0.1

这组晶体管是混合晶体管使用其他设备作为下面列出的超小型封装式，小型电源类型等，为空间节省和组件减少的益处。......

电压: 0 v - 400 v
当前的：0 ma - 6 ma

设备集成两个晶体管适用于超紧凑型封装，适用于各种应用，如预放大器差分放大电路，高频示波器，驱动器IC等。

电压: 600、650 v
当前的: 4 a - 80 a

ROHM的产品必威体育app官方下载采用了低Vce(sat)和低开关损耗的沟道栅和薄晶片技术。

电压: 45 V

描述：中央半导体BCX51，BCX52和BCX53类型是PNP硅晶体管由外延平面工艺制造，环氧树脂模制在表面贴装包，专为高…

电压: 50 V

描述:中央半导体CMPT5086, CMPT5086B，和CMPT5087硅PNP型晶体管由外延平面工艺制造，环氧树脂在表面贴装封装，设计用于应用…

电压: 60 V

描述：中央半导体BCV47是一个硅NPN型达灵顿晶体管由外延平面工艺制造，环氧树脂在表面贴装封装，设计用于要求…

电压: 60 V

描述：中央半导体CMLT3820G是一个非常低的VCE（SAT）NPN晶体管该设计适用于体积小、效率高的应用场合。包装在节省空间的SOT-563表面…

描述:中央半导体CMPFJ175和CMPFJ176是在SOT-23外壳中制造的环氧树脂模制p沟道jfet，设计用于低电平放大器应用。标记码:cmpfj175: 6w cmpfj176: 6x

电压：30 V.

描述:中央半导体CMPFJ175和CMPFJ176是在SOT-23外壳中制造的环氧树脂模制p沟道jfet，设计用于低电平放大器应用。标记码:cmpfj175: 6w cmpfj176: 6x

电压: 40 V

描述:中央半导体CMPP6027和CMPP6028是硅可编程单结晶体管，制造在表面安装SOT-23封装，设计可调节(可编程)特性…

电压: 40 V
当前的马:200

描述:中央半导体CMLM0405是一个单一NPN晶体管和肖特基二极管包装在节省空间SOT-563外壳中，专为小信号通用应用而设计，其中尺寸和操作......

电压: 25、40、6 v
当前的1:

．．．照相机、寻呼机、pda、笔记本电脑等。•高电流(1.0A)晶体管和肖特基整流器•低VCE（SAT）NPN晶体管（450mv @ ic = 1.0a max）•低Vf肖特基...

电压: 12v - 400v
当前的: 1 a - 5 a

．．．双相晶体管．通过利用其广泛的内部包装和优越的阵容硅技术，二极管理想的定位，以满足您的双极应用需求晶体管．继续……

电压：50,100 v

fmmt413是npn硅平面双相晶体管针对雪崩模式操作进行了优化。紧身工艺控制和低电感包装相结合，以产生具有快速边缘的高电流脉冲，......