光透射师

电压：5,30 V
当前的：30马

高可靠性/灵敏度光晶体管用宽容使用紧凑的精密仪器普遍使用的对红外LED使用。φ3moldresin Dip Pack Po [MW / Sr] 2.0波长λp（典型值）[nm] 800操作......

电压：32,5 V
当前的：30马

高可靠性/灵敏度光晶体管用宽容使用紧凑的精密仪器普遍使用的对红外LED使用。

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电压：80 mv.
当前的：1马

oit9c 4-ch。PhotoLro ansistor阵列0.60mm光学间距在塑料SMD封装OIT9C由硅组成PhotoLro ansistor一系列的整体阵列。这光透射师有一个共同的收藏家......

电压：150 mV.
当前的：1马

OIT11C增量编码器芯片0.6 mm oIt11c在硅中组成PhotoTro ansistor单片阵列。这光透射师拥有一个共同的收集器，每次发射器都可以作为垫可用。球场 ...

电压：80 mv.
当前的：1马

OIT12C-OIT12C-S 9-CHPhotoLro ansistor矩阵0.45mm光学间距塑料SMD封装概述OIT12C在硅中组成PhotoLro ansistor一系列的整体阵列。这光透射师......

当前的：0.01 ma - 12 ma

......硅NPN.PhotoLro ansistor径向T1，SFH 310产品具有硅NPNPhotoLro ansistor径向T1，SFH 310产品具有硅NPNPhotoLro ansistor径向T1，SFH ......

电压：0.4,1V
当前的：0.25,1，3,9 mA

Fairchild半导体照片传感器 - 晶体管QSE133拥有NPN硅PhotoLro ansistor中等宽的接收角度为50°。这个高度敏感的硅制工具被广泛地封闭在一个角度，…

电压：30 V - 100 V.
当前的：50,60,75 a

描述VOS618A系列具有GaAs红外发射二极管，光学耦合到硅平面PhotoLro ansistor探测器，并纳入4销50密耳铅间距迷你平板封装。它 ...

kodenshi.PhotoLro ansistor，宽各种包装··锡·茎·壳牌·型·侧视图·SMD随意与我们联系以获取更多细节。

由两个光电传感器组成的换能器（光透射师），能够从能量计获取光脉冲并将其转换为电信号 - 电缆长度：三米 - IP30密封。