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特点
类型
IGBT
技术
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描述
特点:由于on状态电压的正温度系数,易于并联。坚固的极轻穿通(XPT™) 设计结果:-额定短路为10µs。-极低栅极电荷-低EMI-方形反向偏置安全工作区(RBSOA)高达击穿电压薄片技术与SPT设计相结合,形成具有竞争力的低VCE(sat)SONIC-FRD™ 二极管
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*价格为税前价格。不包括交货费和关税,不包括安装或激活选项的额外费用。价格仅供参考,可能因国家而异,并随原材料成本和汇率的变化而变化。
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