IGBT晶体管XPT™系列

权力

设计使用专有的薄晶圆XPT™技术和最先进的IGBT过程，这些器件显示出耐热电阻，低尾电流，低能量损失和高速开关能力等质量。由于其接通状态电压的正温度系数，这些高压IGBT可以并行使用，与串联连接的低压装置相比，提供经济高效的解决方案。因此，这导致相关的栅极驱动电路，简单的设计简单，以及整体系统的可靠性的提高。可选的共填充快速恢复二极管具有低反向恢复时间，并经过优化，以产生平滑的开关波形，并显着降低电磁干扰（EMI）。特点：薄晶圆XPT™技术低导通电压VCE（SAT）共填充快速恢复二极管vCE正温度系数（SAT）国际标准尺寸高压封装应用：脉冲圈电路激光和X射线发电机高压电源供应高压测试设备电容器放电电路交流开关