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FET晶体管
场效应
权力
低噪音
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特征
- type
- FET，场效应
- 技术
- 权力
- 其他特征
- 低噪音
描述
Avago拥有广泛的硅双极RF晶体管和GaAs FET组合。由于低噪声系数的优异组合和增强的线性，GaAs FET RF晶体管是基站LNA的第一或第二级的理想选择。Avagos Bipolar RF晶体管提供高性能，可在低压操作下针对最大FT进行优化，使其成为无线市场中电池供电应用的理想选择。
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