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MOSFET晶体管BSC072N04LD
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MOSFET晶体管
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特征

类型
场效应晶体管
技术
权力
电压

40 V

当前的

20

描述

OptiMOS™功率晶体管40V优点:双超SO8高功率密度(最小的占地面积)优越的热电阻高工作温度高达175°C高击穿抗扰性,由于Qgd/Qgs<0.8 pb无电镀,符合RoHS目标应用:SMPS感应无线充电负载开关电池管理系统低压驱动器

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场效应晶体管

*价格是税前。它们不包括运费和关税,也不包括安装或激活选项的额外费用。价格只是指示性的,可能因国家而异,原材料成本和汇率会有所变化。