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MOSFET晶体管
BSC072N04LD
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特征
类型
场效应晶体管
技术
权力
电压
40 V
当前的
20
描述
OptiMOS™功率晶体管40V优点:双超SO8高功率密度(最小的占地面积)优越的热电阻高工作温度高达175°C高击穿抗扰性,由于Qgd/Qgs<0.8 pb无电镀,符合RoHS目标应用:SMPS感应无线充电负载开关电池管理系统低压驱动器
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