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MOSFET晶体管
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MOSFET晶体管IPB110P06LM.
力量交换雪崩

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特征

类型: Mosfet.
技术: 电源，切换
其他特征: 雪崩

描述

P沟道MOSFET在正常和逻辑电平，降低了中型和低功耗应用中的设计复杂性说明：D²PAK包中的Optimos™P频道MOSFET 60V代表了用于电池管理，负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道装置的主要优点是中低功率应用中的设计复杂性的降低。它的易于接口MCU，快速切换以及雪崩坚固性使其适用于高质量要求的应用。它可在正常和逻辑电平中提供，具有宽RDS（ON）范围，并且由于低QG而在低负载下提高效率。特点摘要：大多数产品有资格到AEC Q101 VDS必威体育app官方下载 = -60V宽RDS（开启）范围正常水平和逻辑电平可用性优势：由于低QG快速切换雪崩坚固耐用目标应用：电池消耗机器，轻松接口MCU接口提高效率。工业自动化工业驱动器

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