MOSFET晶体管IPAN60R360P7S

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描述:600V CoolMOS P7超结MOSFET是600V CoolMOS P6系列的继承者。它继续在设计过程中平衡对高效率和易用性的需求。一流的RonxA和CoolMOS™第七代平台固有的低栅电荷(QG)确保了其高效率。功能概述:效率600V P7使优秀的FOM RDS(on)xEoss和RDS(on)xQG易于使用集成ESD二极管从180mN和以上RDS(on)s集成栅极电阻RG坚固的体二极管宽组合在通孔和表面安装包标准级和工业级部件可用效率卓越的FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss使更高的效率易于使用易于在制造环境中通过停止ESD故障发生集成RG降低MOSFET振荡灵敏度MOSFET适用于硬和谐振开关拓扑，如PFC和LLC在硬换向期间优良的坚固性of the body diode seen in LLC topology Suitable for a wide variety of end applications and output powers Parts available suitable for consumer and industrial applications