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MOSFET晶体管ISP25DP06NM
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雪崩
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特征
- 类型
- 场效应晶体管
- 技术
- 功率,开关
- 其他特征
- 雪崩
描述
描述:SOT-223封装的OptiMOS™p沟道60V mosfet非常适合于负载开关，电池管理以及反向极性保护应用。OptiMOS p沟道mosfet的主要优点是在中、低功率应用中简化了设计复杂性。英飞凌的OptiMOS p沟道mosfet与单片机(MCU)的简单接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。产品在低必威体育app官方下载负荷下提高效率，因为Qg低。并可在普通和逻辑级别，具有广泛的RDS(on)范围。功能概述:大多数产品符合AEC Q101 VDS =必威体育app官方下载 -60V宽RDS(on)范围正常电平和逻辑电平可用性优点:易于与MCU接口，在低Qg低负载下提高效率快速开关雪崩强度目标应用:电池消费工业自动化工业驱动器
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