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MOSFET晶体管IPD25DP06LM
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雪崩
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特征
- 类型
- 场效应晶体管
- 技术
- 功率,开关
- 其他特征
- 雪崩
描述
描述:DPAK封装的OptiMOS™p沟道mosfet 60V代表了针对电池管理、负载开关和反向极性保护应用的新技术。p通道器件的主要优点是在中、低功率应用中降低了设计复杂性。其简单的接口到MCU，快速切换以及雪崩的坚固性，使其适合高质量要求的应用。它在正常和逻辑级别具有广泛的RDS(on)范围，并在低Qg的低负载下提高效率。功能概述:大多数产品符合AEC Q101 VDS =必威体育app官方下载 -60V宽RDS(on)范围正常电平和逻辑电平可用性优点:易于与MCU接口，在低Qg低负载下提高效率快速开关雪崩强度目标应用:电池消费工业自动化工业驱动器
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