- 必威体育app官方下载
- 目录
- 新闻与趋势
- 展览
MOSFET晶体管IPD25DP06NM
权力
转换
雪崩
添加到收藏夹
比较一下这个产品
特点
- 类型
- MOSFET
- 技术
- 开关电源
- 其他特征
- 雪崩
描述
P沟道MOSFET在正常和逻辑级别，降低了中低功耗应用的设计复杂性说明：OptiMOS™ DPAK封装中的P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载切换和反极性保护应用的新技术。P通道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。其易于与MCU接口、快速切换以及雪崩稳定性使其适合高质量的应用。它在正常和逻辑级别都可用，具有较宽的RDS（on）范围，并且由于Qg较低，可在低负载下提高效率。功能概述：大多数产品符合AEC Q101 VDS=-60V宽RDS（on）范围正常电平和逻辑电平可用性优点：易于与MCU接口由于低Qg快速开关雪崩耐用性在低负载下提高了效率必威体育app官方下载
目录
此产品没有可用的目录。
查看所有Infineon技术-传感器目录
要比较的0必威体育app官方下载/10产品