Optimos™在Superso8封装中获得的最佳功率MOSFET描述:InfineOn's Optimos™BIC MOSFET在Superso8包中扩展Optimos™3和5产品组合,并实现更高的功率密度除了改进的鲁棒性,响应较低系统成本的需求表现增加。低反向恢复电荷(QRR)通过提供电压过冲的显着降低,可以提高系统可靠性,这最大限度地减少了对缓冲电路的需求,导致工程成本较少。关键特性最低RDS(开启)可实现最高功率密度和效率较高的工作温度额定值为175°C,对于提高可靠性低RthJC,对于出色的热量行为降低反向恢复电荷(QRR)键较低的全负载温度较低的平行减少增加系统功率密度小尺寸系统成本降低工程成本和减少努力目标应用服务器电信电动工具低压驱动等级D音频应用