600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS的后续产品™ P6系列。在设计过程中,它将继续平衡对高效率和易用性的需求。一流的RonxA和CoolMOS固有的低栅电荷(QG)™ 第七代平台确保其高效率。功能概述:高效600V P7可实现优异的FOM RDS(on)xEoss和RDS(on)xQG易用性集成ESD二极管,可从180mN及以上的RDS(on)上使用s集成栅极电阻器RG坚固耐用的体二极管全系列通孔和表面安装封装标准级和工业级部件均可用优点:效率卓越FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss通过阻止发生ESD故障实现更高的效率易于使用易于在制造环境中使用集成RG降低MOSFET振荡灵敏度MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑,如PFC和LLC在LLC拓扑中看到的体二极管硬换向期间具有优异的耐用性适用于各种终端应用和输出功率部件,适用于消费品和工业应用