意法半导体晶体管

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NPN型晶体管
NPN型晶体管
HD1750FX

电压: 1700 V
当前的: 24

高压NPN电源晶体管该设备采用了平面扩散集电极技术,采用了“增强型高压结构”(EHVS1),以适应高清晰度(hd)显示器。

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新型坚固短路“K”系列本IGBT.采用先进的PowerMESH™流程,在切换性能和低开态行为之间实现了极佳的平衡。低电压降(VCE(sat))非常…

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STGD8NC60KD

电压:600 V.
当前的: 8

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IGBT晶体管
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STGD14NC60K

电压:600 V.
当前的: 14

新型短路坚固型“K”系列意法半导体采用基于专利带状布局的最新高压技术,设计了先进的igbt系列,即Power MESH™igbt,具有卓越的性能。后缀…

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IGBT晶体管
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STGF8NC60KD

电压:600 V.
当前的: 8

新型坚固短路“K”系列本IGBT.采用先进的PowerMESH™流程,在切换性能和低开态行为之间实现了极佳的平衡。低电压降(VCE(sat))非常…

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意法半导体
IGBT晶体管
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STGP8NC60KD

电压:600 V.
当前的: 8

新型坚固短路“K”系列本IGBT.采用先进的PowerMESH™流程,在切换性能和低开态行为之间实现了极佳的平衡。低电压降(VCE(sat))非常…

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意法半导体
IGBT晶体管
IGBT晶体管
STGW30NC60KD

电压:600 V.
当前的: 30

新型坚固短路“K”系列本IGBT.利用先进的PowerMesh™过程,从而在切换性能和低导通行为之间的优异权衡。低压下降(VCE(SAT))短......

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MOSFET晶体管
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盾系列

ST提供一系列基于VIPower(垂直智能电源)技术的汽车级智能3针和5针低侧开关(OMNIFET)。这种专有技术允许集成完整的数字和模拟控制和…

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STGIP系列

SLLIMM智能功率模块属于IPMs家族,它允许优化的硅芯片的组合,并与3个主要的逆变器块:功率级(短路坚固的igbt和自由轮二极管),驱动…

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