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Módulo晶体管IGBTRTU200HF120FA2
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Caracteristicas

蒂波
IGBT
蒂波
de potencia
Tensao

1.200 V

Corrente

200年,一个

Descricao

Caracteristicas: -1200 v200a, VCE(坐)(小费。)= 3.0 v Velocidade de comutacao ultra-rapida Excelente robustez em curto-circuito模德meia桥de 62毫米Aplicacoes斯吉拉斯:Os igbt da Rongtech oferecem Velocidade de comutacao ultra-rapida对位Aplicacoes科莫soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outras Aplicacoes de alta frequencia

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Traducao自动化（Ver texto original em inglês）

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离散IGBT和模块

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