Transistores depotência

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晶体管IGBT
晶体管IGBT
XPT材料™系列

Tensão.:1.700,2.500,4.500 V

...Projetados usando一个tecologia proprietária做薄晶片XPT™e o加工IGBT.DeúltimaGeração,埃塞萨·迪斯托西斯岛4月份禁止ComoDestringênciaTérmicaReduzida,Baixa Corrente de Cauda,Baixa Perda de Energia ...

晶体管MOSFET.
晶体管MOSFET.
HS8K11

Tensão.:30 V.
Corrente:0 a - 44 a

...HS8K11 é o MOSFET padrão para aplicações de comutação Funcionalidades - Baixa resistência。-崇伯sem崇伯sem崇伯的尊敬;compativel com RoHS。- Livre de halogéneo。Especificações Código do Pacote: hsml3030l10 Número…

晶体管双极
晶体管双极

Tensão.: 0 v - 120 v
Corrente: 0 a - 5 a

...Disponível那是一种自然的东西,是一种新的东西,是一种新的东西,是一种新的东西potenciaPara Cobrir O Mercado exterenvamente。......

晶体管双极
晶体管双极
2S系列

Tensão.: 0 v - 400 v
Corrente: 0 a - 6 a

...Disponívelnavariedadede Embalagens Com A Natureza,Como As De Pequeno Sinal,Finas E de Alto Poder Para Cobrir O Mercado Extensivamente。......

晶体管双极
晶体管双极
BCX51

Tensão.: 45 V

...DESCRIÇÃO: Os tipos semiconductor CENTRAL BCX51, BCX52 e BCX53 são晶体管DeSilícioPNPFabricADO PELO Processo外延平面,EPOXI MOLDADO EM UM Pacote de Montagem Suceficial,Projetado ParaAplicaçõesde ...

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晶体管NPN型
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Tensão.: 60 V

...DESCRIÇÃO: O semiconductor CENTRAL BCV47 é um晶体管硅胶NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um…

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CMLT3820

Tensão.: 60 V

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Corrente: 0 a - 10 a

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Módulo de晶体管de potência
Módulo de晶体管de potência
AFM906N

Tensão.:7,5 V.

...permitindo uma ampla utilização da faxa de frequência Proteção ESD integra Melhorias de estabilidade integra Banda larga -potenciaTOTERA TODA A Banda DesempenhoTérmicoexcepcional extreaAlcustez Alta LineAridade ...

晶体管MOSFET.
晶体管MOSFET.
IPD900P06NM

...mosfet de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixapotenciaDescrição:Optimos™O Canal P MOSFET 60V No Pacote DPAK代表Nova Tecnologia Destinada ...

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晶体管双极
晶体管双极

Tensão.:20 V.
Corrente答案:a

晶体管MOSFET.
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盾系列

...proprietária permit a integração de circuitos de controle proteção digitais e analógicos completos que anam um MOSFET depotencia垂直,托托没有Mesmo芯片。OS Interruptores de BaixaTensão,Com SuasCaracterísticas...

晶体管IGBT
晶体管IGBT
FG,ISL9系列

Tensão.: 250, 500 v
Corrente:10,43 A

...本公司现向您介绍ignição汽车用品有限公司的新产品。好吧é,特别的计划是我们的主要能源,braçadeira,我们的安排是我们的市场,tensão, de, saturação。Fornece desempenho……

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Módulo de晶体管de potência
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HRC12

Tensão.:8 V - 35 V.

...我的名字是:Geradores de longe, e distância de comunicação é主要是50米;这是gerupo grupo grupor móvel, Apotencia它可以控制,也可以控制它的演唱者;Ampla faixa……

晶体管双极
晶体管双极

Tensão.: 0,24 v - 3,5 v

晶体管MOSFET.
晶体管MOSFET.

...Vishay é o fabricante número um do mundo de mosfet de baixapotencia.产品描述:Vishay Siliconix Power MOSFET inclui dispositivos em mais de 30 tipos de embalagem, inclindo as famílias MICRO FOOT®e PowerPAK®…

módulo de晶体管IGBT
módulo de晶体管IGBT

Tensão.: 1.200 V
Corrente答案:a

... Funcignionalades -Tecnologia Trench +提交的停止IGBT.电弧线电容10ps -Versât) com正向温度系数-Caso de baixa indutância -Recuperação reverse rápida e suave antiparela FWD -Base…

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...投资组合德晶体管双极性RF / Silício e fet GaAs Os晶状体GaAs FET RF são idea para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído…

晶体管双极
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Tensão.:12 V - 400 V.
Corrente:1 a - 5 a

... Mercado Quando SE Trata de晶状体双相情感障碍。您现在的位置:首页>资源分类>行业论文>医学论文> Ao utilizar sua ampla linha de embalagem intra tecologia silício superior, Diodos está idealmente posicionado para投标às suas necessidades de aplicação…

晶体管MOSFET.
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Tensão.: 110, 265 v

...Descrição:TopSwitch-HX Inclatia UM MOSFET DE 700 V DEpotencia, fonte de corrente comutada de alta tensão, control PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de control…

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