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Transistores depotência
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![晶体管IGBT](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/17136-16526772.jpg)
Tensão.:1.700,2.500,4.500 V
...Projetados usando一个tecologia proprietária做薄晶片XPT™e o加工IGBT.DeúltimaGeração,埃塞萨·迪斯托西斯岛4月份禁止ComoDestringênciaTérmicaReduzida,Baixa Corrente de Cauda,Baixa Perda de Energia ...
![晶体管MOSFET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-12417847.jpg)
Tensão.:30 V.
Corrente:0 a - 44 a
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![晶体管双极](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-8529760.jpg)
Tensão.: 0 v - 120 v
Corrente: 0 a - 5 a
...Disponível那是一种自然的东西,是一种新的东西,是一种新的东西,是一种新的东西potenciaPara Cobrir O Mercado exterenvamente。......
![晶体管双极](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-2270983.jpg)
Tensão.: 0 v - 400 v
Corrente: 0 a - 6 a
...Disponívelnavariedadede Embalagens Com A Natureza,Como As De Pequeno Sinal,Finas E de Alto Poder Para Cobrir O Mercado Extensivamente。......
![晶体管双极](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-4572569.jpg)
Tensão.: 45 V
...DESCRIÇÃO: Os tipos semiconductor CENTRAL BCX51, BCX52 e BCX53 são晶体管DeSilícioPNPFabricADO PELO Processo外延平面,EPOXI MOLDADO EM UM Pacote de Montagem Suceficial,Projetado ParaAplicaçõesde ...
中央半导体
![晶体管NPN型](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-4585949.jpg)
Tensão.: 60 V
...DESCRIÇÃO: O semiconductor CENTRAL BCV47 é um晶体管硅胶NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um…
中央半导体
![晶体管NPN型](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-7827669.jpg)
Tensão.: 60 V
中央半导体
![Módulo de晶体管de potência](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33721-14774957.jpg)
Tensão.:7,5 V.
...permitindo uma ampla utilização da faxa de frequência Proteção ESD integra Melhorias de estabilidade integra Banda larga -potenciaTOTERA TODA A Banda DesempenhoTérmicoexcepcional extreaAlcustez Alta LineAridade ...
![晶体管MOSFET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/17914-14200715.jpg)
...mosfet de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixapotenciaDescrição:Optimos™O Canal P MOSFET 60V No Pacote DPAK代表Nova Tecnologia Destinada ...
英飞凌科技-传感器
![晶体管MOSFET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33699-4222157.jpg)
...proprietária permit a integração de circuitos de controle proteção digitais e analógicos completos que anam um MOSFET depotencia垂直,托托没有Mesmo芯片。OS Interruptores de BaixaTensão,Com SuasCaracterísticas...
![晶体管IGBT](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33535-2585507.jpg)
Tensão.: 250, 500 v
Corrente:10,43 A
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飞兆半导体公司
![Módulo de晶体管de potência](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/235250-16411666.jpg)
Tensão.:8 V - 35 V.
...我的名字是:Geradores de longe, e distância de comunicação é主要是50米;这是gerupo grupo grupor móvel, Apotencia它可以控制,也可以控制它的演唱者;Ampla faixa……
![晶体管MOSFET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/11633-4815367.jpg)
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![módulo de晶体管IGBT](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/65733-14114409.jpg)
Tensão.: 1.200 V
Corrente答案:a
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荣泰工业(上海)有限公司
![晶体管FET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33934-2485857.jpg)
...投资组合德晶体管双极性RF / Silício e fet GaAs Os晶状体GaAs FET RF são idea para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído…
![晶体管双极](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/34424-2802011.jpg)
Tensão.:12 V - 400 V.
Corrente:1 a - 5 a
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![晶体管MOSFET.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33760-5152699.jpg)
Tensão.: 110, 265 v
...Descrição:TopSwitch-HX Inclatia UM MOSFET DE 700 V DEpotencia, fonte de corrente comutada de alta tensão, control PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de control…
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