Díodos.

…A série RBxx8 da ROHM dediodosDe Barreira Schottky Utiliza UM金属特别otimizado para Ambientes de Alta Checillatura，Lessultando没有Menor Ir DaIndústria。Alémdisso，DescoltoleTérmicoéEvitadaMesmoEm Altas ...

Tensao direta：0,3 V - 1 V.
Tensao inversa：20 V - 150 V.

......diodosde barreira schottky ROHMs第automóveis são baixos VF, baixos IR e altamente抵抗ESD(通信ao AEC-Q101)。Programação de pacotes SOD-523 SOD-723 SOD-923 SOT-25 SOT-25T SOT-323 SOT-343…

Tensao direta：0,37 V - 1 V.
Tensao inversa：30 V - 150 V.

…林哈罗姆小信号型肖特基势垒二极管(Io<0.5A) present enta alta resistência ESD e IFSM com baixa VF e baixa IR同时。VF superior baixa, características IR baixas。A otimização das condições…

Tensao inversa：1.200,600 v

…Características: VRRM de 300, 600 e 1200V Gama IFAV: 6A a 55A Muito baixa capacitância <15pf Recuperação suave Trr e IRM Muito baixos…

…Características: Proteção transitória de tensão para tirístores ediodosinterrupt tores de alta tensão Crowbars Pulsos laser Geradores de Pulsos - Voltagens de 600V a 4200V Corrente de pulso até 200A…

...... estasériedediodosScothky De Carboneto deSilício（SiC）Tem Uma Corrente DeRecuperaçãoReversadesprozível，Alta Pocupidade de Pico E umaMeverceaturaMáximadeOperaçãodanJunçãode175°C。estassériesde.diodos…

Tensao inversa：200 V - 1.000 V.

…DESCRIÇÃO: O半导体中央CMMR1 Série de Retificadores de Alta Densidade de rente, em uma SOD-123F de montagem em superfície são projetados para todos os tipos de computadores comerciais, industriais e automotivos aplicações. ...

Tensao inversa：200,400,600,800 V

…DESCRIÇÃO: Os semiconductor CENTRAL Série CMMR1U são de alta qualidade 1.0 Amp de silicone para montagem superfície Retificadores, bem construídos, components altamente confiáveis, projetados para uso em todos Os tipos de aplicações…

Tensao inversa：200 V - 1.000 V.

…DESCRIÇÃO: O semiconductor CENTRAL CMR2-02 série 2.0 Amp retificador de silício para montagem em superfície é um componente confiável projetado para uso em todos os tipos de aplicações comerciais, industriais, de entretenimento, de computador…

Tensao direta：0,23 V - 1,18 V.
Tensao inversa: 2v ~ 250v

…Díodos.我们需要一个肖特基矫正器，我们需要一个完整的. ...

Tensao inversa：14,15,16 v

…Díodos.DeSintonizaçãoPara Controlo deFrantênciae Circuitos deSintonizaçãodefirmrência。......

Tensao direta: 1,8 V - 200v

Tensao inversa：20 kV.

...instução

Tensao inversa：20 kV.

…INTRODUÇÃO: A montagem do retifador de silício de alta tensão da Rongtech é feita de chips de vidro passivado de alta qualidade e estrutura de vedação de resina epóxi de alta confabilidade, e através de inspeção de equipamentos de…

Tensao inversa: 650 V

... 1.Aplicações - Correcção做因子DePotência - inversores Solares - Fontes deAlimentaçãoInInterracta - Contractores DC-DC 2.Características（1）设计做芯片De2ªGeração。（2）Copacidade de Corrente de Pico Heladada：IFSM = 79A ...

Tensao direta：4,2 V - 62 V.
Tensao inversa: -41 V

... o dissositivo lm76202-q1éumdiodo理想的整合，紧凑的rico em recursos, com um conjunto complete de recursos de proteção。在alimentação允许控制aplicações汽车…

Tensao direta: 1.5 V - 3v
Tensao inversa: 360 V - 1.250 V

......diodosRenesas são是理想的生产材料和理想的生产材料móveis。埃斯蒂斯diodosTambémsãoaprakiados para o fornecimento de ...

Tensao direta: 30v ~ 200v
Tensao inversa：0,4 V - 0.9 V.

…现为新产品revolucionário。操作系统diodospara automóveis da ST são，事实上，我生产único。Ele é projetado para tender inúmeras aplicações e自负设计。O迪奥托Équificado...

…RHRP15120 e嗯diodo请登录rápido com proprietary de recuperação suave (trr<65ns)。我知道我的节奏是recuperação的diodosultra-rápidos com sua estrutura plana epitaxial, passivada…

...Configuração：Bidirecional Describlo：1500W，100V，10％，Bidirecional，TVSFamília：TVS IPP（A）：10.9 IR（μA）：1 PPK（W）：1500凯奇：DO-201 ESTADO：Ativo TJ Max。（°C）：175甲苯可±（％）：10VBRMáx。（v）：110 vbr min。（v）：90 VBR NOM。（v）：100abraçadeira...

Tensao inversa：20 V - 2.000 v

…campanha de miniaturização, surgiu uma nova geração deDíodos.de chip da bourns queeoe a poppydade de fornecer umdiododesilíciocom omínimode sobrecarga de Embalagem。os pequenos.diodos…

Tensao direta: 5、20、12、7 V

…Características Rápida ativação Baixa tensão de aperto Alta tensão resistance a ESD Proteção uni ou bidirectional Pequeno pacote resistance à chama epóxi UL94 V-0 Aplicações Fonte de alimentação DC Fornecimento de energia USB (PD) Fones…

......diodosde ruído da Noisecom são os blocos de construção fundamentais para sistema de ruído analógicos。el圣categorizados为什么caracteristicas de desempenho, melhoram sua赛达de ruido de班达larga e resposta……

…CARACTERÍSTICAS - Alta capacidade de corente de pico - Versão de cátodo e ânodo de ilha - Ampla faixa de corente - Tipos até 1200 V V VRRM - Projetado e qualificado para nível工业e消费- Categorização de materiais: para…

Tensao direta：12 V.
Tensao inversa：12 kV.

…Características做产品1。Baixo vazamento, resistência ao impacto, avaria por avalanche protecção等。Tamanho pequeno, fácil de instalar, adequado para produção automática。3.Características de comutação de alta velocidade，…

Tensao inversa: 0 V - 3.000 V

......diodosPodem Ser Subdididididos EM Duas Classes Principais：Díodos.retificadores (recuperação padrãodiodos快车。操作系统diodosretificadores são geralmente usados…

…pilhas de alta项目tensão confiáveis e personalizadas para aplicações de pulsante能源。HVD54K Pilha de Pinça de迪奥托de Alta Tensão, 54kV…

Tensao inversa: 200, 1.600 V

... Funcionalades Pastilhas de Vidro Passivadas Alta Computidade de SurtosTensãodeIstormento AgeraveoAgeré1600VVersãodeCátodoeânododeIlhaampla faixa de corrente em conformidade com a rohsaplicaçõescarregador de bateria convertor fontes ...

Tensao direta：25 V - 550 V.
Tensao inversa: 20 kV - 450 kV

…对了，contínuo das exigências de eficiência e conconto exige utilização de interruptores semi- conductor de alta qualidade。Comutação sem desgaste ou ruídos, altas correntes, rápida e sob condições variáveis, auto-suficiente ou…