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módulode transistores IGBTRTU75HF120FA1
depotência

módulode transistores IGBT
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比
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características.

蒂诺
IGBT.
蒂诺
depotência
Tensão.

1.200 V.

corrente.

75 A.

Descrição.

características：-1200v75a，vce（sat）（典型值）= 3.0v velocidade decomutação超级rápidaexcelente robustez em curto-circuito-módulode meia ponte de 34 mmaplicaçõesgerais：os igbts da rongtech oferecem velocidade decomutaçãoultra-rápidaParaaplicaçõescomosoldagem，Aquecimento Indutivo，UPS E OutrasAplicaçõesdealtadirecerncia

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