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Tensãodireta.：5,35 V - 13,8 V.
......intradaéaltae为correntes de迪奥托圣多德利。OS Nossos Discositivos PolyzenSãoMicro-Conduntos deDíodos.齐纳DePrecisão，ReforçadosCompolímeros。一个característicaavançada...
Tensãodireta.：12 V.
... OS Produtos dasériesp1003 foram qualificados para aec-q101，esãoaprakiados para uso emaplicaçõesautomotivas。OS.Diodos.齐纳FabricAdos EM UMA TecnologiaProprietáriadeAvalanchedeSilícioprotemem ...
......Diodos.齐纳Da RohmEstãoIndoníveisemváriaslinhascomo o tipo de montagem emsuperfíciede 2 pinos e tipo complexo。......
Tensãodireta.：4,76 V - 42,9 V.
......Díodos.rohms.齐纳Oferecemproteçãobidirijional contrgar surtos，Reduzindo a contagem depeçase o tamanho do conjunto。Protege Contra Surtos Positivos E Negitivos，Reduzindo ONúmerode组件......
Tensãoinversa.：1 V.
...Descrição：OSDiodos.齐纳半导体中央SérieBZV55C2V4SãoDiodos.齐纳De Silicone de Alta Qualidade E Alta Confiailidade，Projetados Para USO EM Todos OS ...
Tensãoinversa.：33 V.
...Descrição：o Semondutor CentralSérieBZX84C2V4SãoDiodos.齐纳De Silicone de Montagem肤浅。estes os.Diodos.Starmadores deTensãodeAltaQualidadeSãoProjetadosPara USO ...
Tensãoinversa.：1,8 V.
...Descrição：Série中央半导体CLL4678 O迪奥托齐纳de baixoníveldesilícioéumatensãodealtaqualidade projetado paraaplicaçõesque exijam um Starmador de Corrente Oremallationale ...
Tensãodireta.：12 V - 51 V.
Tensãoinversa.：8 V - 40,8 V
... - DissipaçãodePotênciaMédia：P = 2 W - Tensão齐纳：VZ = 12 A 51 V - Adequado Para Montagem Compacta Devido Ao Seu Pequeno Embalagem de Montagem Saliente“M-Flattm”（Nome Do Pacote Toshiba）......
Tensãodireta.：1,5 V - 3 V
Tensãoinversa.：360 V - 1.250 V.
......Díodos.RenesasSãoNengenheiradose FabricAdos de Forma Sinviva Para Suportar O Desempenho Ideal de DiscositivosMóveisleves emores。埃斯特雷斯Díodos.Tambémsãoaprakiados para o fornecimento de ...
Tensãodireta.：2,4 V - 75 V.
......Díodos.齐纳MM3Z2V4B-MM3Z75VBTêmuma sollaseleçãode faixa detensão齐纳DE 2,4伏特A 75 VOLTS ESTES DISPOSIVOSTAMBÉMSOTSUEMUMASELEÇãodeToLerânciavz de mais oou menos ...
... De Inclamabilidade 94 V-0 - ParaAplicaçõesdeMontagemSaliente - JunçãodeCavacosde Vidro Passivado - BaixaImpedâcia齐纳- Baixo Fator DeRegulação - Soldadura A alta Meverceatura Garantida：250°C / 10 S NOS Terminais - ...
Tensãodireta.：3,3 V - 330 V.
...齐纳（vz）。em.Diodos.não-齐纳，一个tensão.齐纳ÉARTA，e o迪奥托FICE永久丹尼斯德州UMA Corrente Reversa Acima de ZV Puder Passar Por Ele。OS.Diodos.......
Frontier Electronics，Corp.
Tensãodireta.：1,8 V - 390 V.
...característicasdealto desempenhoImpedâciatérmicamuito baixa pacote de Vidro Hermicomamente Selado Sem Vazio Ligado Meterurgicamente Tipos Jan / Tx / Tx / TXVDiseoníveStveNoNíveStamoníveStveStameníveLyMontagemSaliente Checionatura de Funcionament：...
Sensitron半导体
Tensãodireta.：3,3 V - 39 V.
二极管合并
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