- Eletricidade——Eletronica>
- ComponenteEletrônico.>
- DíodoSchottky.
Díodos肖特基
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......一个sérierbxx8da rohm dediodosde barreira肖特基利用金属对环境温度的特殊影响,结果没有提示indústria。Além disso, a descontrole térmico é evitada…
Rohm Semiconductor
Tensãodireta.: 0,3 V - 1 V
Tensao inversa:20 V - 150 V.
......diodosde barreira肖特基ROHMs para automóveis são baixos VF, baixos IR e altamente抵抗ESD(对应ao AEC-Q101)。Programação de pacotes SOD-523 SOD-723 SOD-923 SOT-25 SOT-25T…
Rohm Semiconductor
Tensãodireta.:0,37 V - 1 V.
Tensao inversa: 30v - 150v
......一个Linha Rohm小信号类型肖特基障碍二极管(IO <0.5a)Apresenta AltaResertênciaSEDE IFSM COM Baixa VF e Baixa IR同时。vf高级baixa,característicasir baixas。otimização...
Rohm Semiconductor
...... estasériedediodos肖特基de Carboneto deSilício(SiC)Tem Uma Corrente deRecuperaçãoReversadesprozível,Alta Pocupidade de Pico E uma MeverceaturaMáximadeOperaçãodanJunçãode175°C。estas ......
Littelfuse
...... estasériedediodos肖特基de Carboneto deSilício(SiC)Tem Uma Corrente deRecuperaçãoReversadesprozível,Alta Pocupidade de Pico E uma MeverceaturaMáximadeOperaçãodanJunçãode175°C。estas ......
Littelfuse
...... estasériedediodos肖特基碳温度silício (SiC) tem tem de recuperação reversa desprezível, alta capacidade de pico e uma temperature máxima da junção操作温度175°。这些系列……
Littelfuse
Tensãodireta.:400 mv.
Tensao inversa:30 V.
…DESCRIÇÃO: Os tipos做半导体中央CBAT54系列sãoDiodos硅肖特基蒙太奇写的superfície SOT-23。CBAT54: CÓDIGO DE MARCAÇÃO ÚNICO: CL4 CBAT54A: CÓDIGO DE MARCAÇÃO…
中央半导体
Tensao inversa: 40 V
... cdsh-4 -迪奥托通孔二极管-肖特基(<1A >请注意:Se pedidispositivos de estanho/chapa de chumbo, adicione o sufixo " TIN/LEAD" ao número da peça ao encomendar…
中央半导体
Tensao inversa:30 V.
…DESCRIÇÃO: O半导体中心CFSH01-30L é um迪奥托肖特基我的基本技能是:aplicações我的基本技能是:tensão我的基本技能是:avanço são我的基本技能。埃斯特componente……
中央半导体
Tensãodireta.: 0,23 V - 1,18 V
Tensao inversa: 2v ~ 250v
…Diodose rectificadores肖特基我可以在网上看到. ...
Tensao inversa: 650 V
…1.Aplicações - Correcção do Factor de Potência - Inversores Solares - Fontes de Alimentação Ininterrupta - Conversores DC-DC 2。Características(1)设计做芯片de 2ªgeração。(2) pico elevada的Capacidade de corrente de pico elevada: IFSM = 79A…
Tensãodireta.: 1.5 V - 3v
Tensao inversa: 360 V - 1.250 V
......diodosRenesasSãoNengenheiradose FabricAdos de Forma Sinviva Para Suportar O Desempenho Ideal de DiscositivosMóveisleves emores。埃斯特雷斯diodostambém são a appropriados para fornecimento de…
Tensãodireta.: 30v ~ 200v
Tensao inversa: 0,4 V - 0,9 V
... Apresentando UM Novo ProdutoRevolucionário。OS.diodosParaAutomóveisDaStSão,事实上,UM Produtoúnico。ELEÉPROJETADOPARA旨在inúmerasaplicaçõeseconceitos de设计。O.迪奥托e qualificado……
意法半导体
…仙童fornece-lhe rectificadores de ponte padrão da indústria, DIACs,diodos肖特基e rectificatores,pequenosdiodosde sininal, suppressores de tensão transiente ediodos…
Tensao inversa:20 V - 2.000 v
…campanha de miniaturização, surgiu uma nova geração deDiodos你可以从他那里得到一个fornecer的capacidadediodode silício com o mínimo de sobrecarga de embalagem。Os pequenosdiodos…
...características - alta providedade de corrente de pico - VersodeCátodoe'nodo de Ilha - Ampla Faixa de Corrente - TiposAté1200VVVRRM - Projetado E ProLificado ParaNívelIndustrial e De Commerto - ProcatorizaçãodeMateriais:Para ...
博通公司
Tensãodireta.: 0,38 V - 0,95 V
Tensao inversa: 20v ~ 200v
前沿电子产品公司。
…产品齐纳模具- Tensão de funcionamento: 3.3V a 390V - Potência: 500mW - 5W - Tolerância de 5% para Vz产品肖特基Die - RecuperaçãoReversaSuave A Baixa E Alta Meverceatura - Ampla Faixa deTensão:...
二极管合并
我们能做什么?
Poderia especificar吗?
我不知道怎么称呼你serviço他的名字:
restantes