- Eletricidadade - Eletrônica>
- ComponenteEletrônico.>
- DíododeComutação.
DíodosdeComutação.
{{#ECH Product.Specdata:i}}{{姓名}}:{{value}} {{#i!=(product.specdata.length-1)}}}
{{/ end}} {{/每个}}
{{{product.idptext}}}}
{{#ECH Product.Specdata:i}}{{姓名}}:{{value}} {{#i!=(product.specdata.length-1)}}}
{{/ end}} {{/每个}}
{{{product.idptext}}}}
Tensãodireta.:0,85 V - 3 V.
Tensãoinversa.:200 V - 800 V.
......Díodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda decomutação.。programaçãode ...
Rohm Semiconductor
Tensãodireta.:0,93 V - 3 V.
Tensãoinversa.:100 V - 800 V.
......Díodos.deRecuperaçãoRápidaOSDíodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda ...
Rohm Semiconductor
Tensãodireta.:0,9 V - 1,25 V.
Tensãoinversa.:20 V - 200 V
Rohm Semiconductor
Tensãoinversa.:70 V.
...Descrição:O Semiconder CentranCMDD6263ÉUM迪奥托Schottky de AltaTensão,Baixa VF,SilícioMubum Pacote de Montagem Sucteficial,Projetado ParaAplicaçõesdecomutação.RápidaQue Requerem Baixa ...
中央半导体
Tensãoinversa.:85 V.
...Descrição:O Semondentor Central Bas28包括EM DoisDíodos.德comutação.deSilíciodeultra-Alta Velocidade Isolados Colormatamamente,FabricAdos Pelo Processo de Planar外延E almalados numa ...
中央半导体
Tensãoinversa.:120 V.
...Descrição:O Semondutor CentralCFD4448ÉUMDíodo.德comutação.De Ultra Alta Velocidade理想的ParaAplicaçõesonde o Tamanho Muito Pequeno e aeficiênciaoperacionalsãoscivisitosprimordiais。características: - ...
中央半导体
Tensãoinversa.:650 V.
... 1.Aplicações - Correcção做因子DePotência - inversores Solares - Fontes deAlimentaçãoInInterracta - Contractores DC-DC 2.Características(1)设计做芯片De2ªGeração。(2)Copacidade de Corrente de Pico Heladada:IFSM = 79A ...
Tensãodireta.:4,2 V - 62 V.
Tensãoinversa.:-41 V.
... o dissositivo lm76202-q1éum迪奥托理想的整体,Compacto e Rico Em RecuReSos,Com Um Conjunto Completo de RecuSosos deProteção。Amplaa Faixa de entrada deAlimentação渗透obertole deaplicaçõesautomotivas ...
Tensãodireta.:11 V - 22 V.
Tensãoinversa.:20 kV - 90 kV
...※特点:característicasdecomutação.De Alta Velocidade,TRR 50-150ns。Baixo Vazamento,抵抗Surtos,抵抗一个Choques。GrandesCaracterísticasdeProteçãoChartraruptura detensãodevalanche。......
鞍山SITY Electronics Co.,Ltd。
...Contínuodasexigênciasdeeficiênciae conforto ExigeAuterizaçãodeInterrances半冷凝器义阿尔塔Qualidade。comutação.SEM Desgaste OuRuídos,Altas Correntes,Rápidae SobCondiçõesVariáveis,自动款...
...Funíliaminipak hmps-282x deDíodos.Schottkyéodispositivoverstátilmais acmunerente e MelhorDisponíveleeNcontraaplicaçõessmmistura,detecção,comutação.,amostraagem,fixação...
Broadcom.
Tensãodireta.:1 V - 2,5 V
Tensãoinversa.:75 V - 100 V.
二极管合并
Tensãoinversa.:600 V.
...Descriçãodo produto操作系统Díodos.qspeed™têmo qrrr mais baixo dequequestDíodo.硅。SuascaracterísticasdeRecuperaçãoAumentamAeficiência,Reduzem A EMI E Eillinam OS缓冲器。destaques do produto funcionionadades agora ...
权力集成
o que podemos melhorar?
Poderia Especificar?
Ajude-nos a melhorar oserviçoque lhe prestamos:
restantes.