DíodosdeComutação.

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Díododemançãopn
Díododemançãopn
RF系列

Tensãodireta.:0,85 V - 3 V.
Tensãoinversa.:200 V - 800 V.

......Díodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda decomutação.。programaçãode ...

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Rohm Semiconductor
Díododemançãopn
Díododemançãopn
RF系列

Tensãodireta.:0,93 V - 3 V.
Tensãoinversa.:100 V - 800 V.

......Díodos.deRecuperaçãoRápidaOSDíodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda ...

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Rohm Semiconductor
Díododemançãopn
Díododemançãopn

Tensãodireta.:0,9 V - 1,25 V.
Tensãoinversa.:20 V - 200 V

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Rohm Semiconductor
DíodoSchottky.
DíodoSchottky.
CMDD6263

Tensãoinversa.:70 V.

...Descrição:O Semiconder CentranCMDD6263ÉUM迪奥托Schottky de AltaTensão,Baixa VF,SilícioMubum Pacote de Montagem Sucteficial,Projetado ParaAplicaçõesdecomutação.RápidaQue Requerem Baixa ...

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中央半导体
Díododemançãopn
Díododemançãopn
BAS28

Tensãoinversa.:85 V.

...Descrição:O Semondentor Central Bas28包括EM DoisDíodos.comutação.deSilíciodeultra-Alta Velocidade Isolados Colormatamamente,FabricAdos Pelo Processo de Planar外延E almalados numa ...

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中央半导体
Díododemançãopn
Díododemançãopn
CFD4448.

Tensãoinversa.:120 V.

...Descrição:O Semondutor CentralCFD4448ÉUMDíodo.comutação.De Ultra Alta Velocidade理想的ParaAplicaçõesonde o Tamanho Muito Pequeno e aeficiênciaoperacionalsãoscivisitosprimordiais。características: - ...

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中央半导体
DíodoSchottky.
DíodoSchottky.
TRS系列

Tensãoinversa.:650 V.

... 1.Aplicações - Correcção做因子DePotência - inversores Solares - Fontes deAlimentaçãoInInterracta - Contractores DC-DC 2.Características(1)设计做芯片De2ªGeração。(2)Copacidade de Corrente de Pico Heladada:IFSM = 79A ...

Díododemançãopn
Díododemançãopn
LM76202-Q1 / LM74202-Q1

Tensãodireta.:4,2 V - 62 V.
Tensãoinversa.:-41 V.

... o dissositivo lm76202-q1éum迪奥托理想的整体,Compacto e Rico Em RecuReSos,Com Um Conjunto Completo de RecuSosos deProteção。Amplaa Faixa de entrada deAlimentação渗透obertole deaplicaçõesautomotivas ...

Díododealtatensão
Díododealtatensão
HVD系列

Tensãodireta.:11 V - 22 V.
Tensãoinversa.:20 kV - 90 kV

...※特点:característicasdecomutação.De Alta Velocidade,TRR 50-150ns。Baixo Vazamento,抵抗Surtos,抵抗一个Choques。GrandesCaracterísticasdeProteçãoChartraruptura detensãodevalanche。......

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鞍山SITY Electronics Co.,Ltd。
DíodoIntegrado.
DíodoIntegrado.
Q-二极管I,Q-二极管II

...Contínuodasexigênciasdeeficiênciae conforto ExigeAuterizaçãodeInterrances半冷凝器义阿尔塔Qualidade。comutação.SEM Desgaste OuRuídos,Altas Correntes,Rápidae SobCondiçõesVariáveis,自动款...

DíodoSchottky.
DíodoSchottky.
HMPS-2822

...Funíliaminipak hmps-282x deDíodos.Schottkyéodispositivoverstátilmais acmunerente e MelhorDisponíveleeNcontraaplicaçõessmmistura,detecção,comutação.,amostraagem,fixação...

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Broadcom.
DíodoSMD
DíodoSMD
BAV,BAW系列

Tensãodireta.:1 V - 2,5 V
Tensãoinversa.:75 V - 100 V.

DíodoSchottky.
DíodoSchottky.
1N5711W,BAS系列

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二极管合并
Díododemançãopn
Díododemançãopn
H系列

Tensãoinversa.:600 V.

...Descriçãodo produto操作系统Díodos.qspeed™têmo qrrr mais baixo dequequestDíodo.硅。SuascaracterísticasdeRecuperaçãoAumentamAeficiência,Reduzem A EMI E Eillinam OS缓冲器。destaques do produto funcionionadades agora ...

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权力集成