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- ComponenteEletrônico.>
- DíododeComutação.
DíodosdeComutação.
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![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-12417966.jpg)
Tensãodireta.:0,85 V - 3 V.
Tensãoinversa.:200 V - 800 V.
......Díodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda decomutação.。programaçãode ...
Rohm Semiconductor
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-2513703.jpg)
Tensãodireta.:0,93 V - 3 V.
Tensãoinversa.:100 V - 800 V.
......Díodos.deRecuperaçãoRápidaOSDíodos.deRecuperaçãoRápidaRoHMContribuem Para Melhorar Infiguralativamente AEficiênciadacomutação.Da Fonte deAlimentaçãoe para reduzir a perda ...
Rohm Semiconductor
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/13683-2274335.jpg)
Tensãodireta.:0,9 V - 1,25 V.
Tensãoinversa.:20 V - 200 V
Rohm Semiconductor
![DíodoSchottky.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-4585169.jpg)
Tensãoinversa.:70 V.
...Descrição:O Semiconder CentranCMDD6263ÉUM迪奥托Schottky de AltaTensão,Baixa VF,SilícioMubum Pacote de Montagem Sucteficial,Projetado ParaAplicaçõesdecomutação.RápidaQue Requerem Baixa ...
中央半导体
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-4571021.jpg)
Tensãoinversa.:85 V.
...Descrição:O Semondentor Central Bas28包括EM DoisDíodos.德comutação.deSilíciodeultra-Alta Velocidade Isolados Colormatamamente,FabricAdos Pelo Processo de Planar外延E almalados numa ...
中央半导体
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33678-12157519.jpg)
Tensãoinversa.:120 V.
...Descrição:O Semondutor CentralCFD4448ÉUMDíodo.德comutação.De Ultra Alta Velocidade理想的ParaAplicaçõesonde o Tamanho Muito Pequeno e aeficiênciaoperacionalsãoscivisitosprimordiais。características: - ...
中央半导体
![DíodoSchottky.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33679-15342161.jpg)
Tensãoinversa.:650 V.
... 1.Aplicações - Correcção做因子DePotência - inversores Solares - Fontes deAlimentaçãoInInterracta - Contractores DC-DC 2.Características(1)设计做芯片De2ªGeração。(2)Copacidade de Corrente de Pico Heladada:IFSM = 79A ...
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33647-14928847.jpg)
Tensãodireta.:4,2 V - 62 V.
Tensãoinversa.:-41 V.
... o dissositivo lm76202-q1éum迪奥托理想的整体,Compacto e Rico Em RecuReSos,Com Um Conjunto Completo de RecuSosos deProteção。Amplaa Faixa de entrada deAlimentação渗透obertole deaplicaçõesautomotivas ...
![Díododealtatensão](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/163632-10211825.jpg)
Tensãodireta.:11 V - 22 V.
Tensãoinversa.:20 kV - 90 kV
...※特点:característicasdecomutação.De Alta Velocidade,TRR 50-150ns。Baixo Vazamento,抵抗Surtos,抵抗一个Choques。GrandesCaracterísticasdeProteçãoChartraruptura detensãodevalanche。......
鞍山SITY Electronics Co.,Ltd。
![DíodoIntegrado.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/139503-14658361.jpg)
...Contínuodasexigênciasdeeficiênciae conforto ExigeAuterizaçãodeInterrances半冷凝器义阿尔塔Qualidade。comutação.SEM Desgaste OuRuídos,Altas Correntes,Rápidae SobCondiçõesVariáveis,自动款...
![DíodoSchottky.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/35140-13095420.jpg)
...Funíliaminipak hmps-282x deDíodos.Schottkyéodispositivoverstátilmais acmunerente e MelhorDisponíveleeNcontraaplicaçõessmmistura,detecção,comutação.,amostraagem,fixação...
Broadcom.
![DíodoSMD](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/140897-11960278.jpg)
Tensãodireta.:1 V - 2,5 V
Tensãoinversa.:75 V - 100 V.
![DíodoSchottky.](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/34424-8949810.jpg)
二极管合并
![Díododemançãopn](https://img.directindustry.com/pt/images_di/photo-m2/33760-5153457.jpg)
Tensãoinversa.:600 V.
...Descriçãodo produto操作系统Díodos.qspeed™têmo qrrr mais baixo dequequestDíodo.硅。SuascaracterísticasdeRecuperaçãoAumentamAeficiência,Reduzem A EMI E Eillinam OS缓冲器。destaques do produto funcionionadades agora ...
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