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IGBT光电晶体管
切换
硅
砷化镓
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这种产品比较
特征
- 类型
- IGBT
- 技术
- 切换
- 其他特征
- 硅、砷化镓
- 电压
-
最小值。30 V
马克斯。100 V
- 当前的
-
50 a 60 a 75 a
描述
VOS618A系列有一个GaAs红外发射二极管发射器，它被光耦合到一个硅平面光电晶体管探测器，并被集成在一个4针50密耳引线间距的迷你平板封装中。它的特点是在低输入电流、低耦合电容和高隔离电压下具有高电流传输比。耦合装置是为两个电分离电路之间的信号传输而设计的。特征与低输入电流••高CTR低调包(半场)•高集电极发射极电压,VCEO = 80 V•隔离测试电压= 3750 VRMS•低耦合电容•高共模瞬态免疫力工业控制应用程序•电信••••办公室机器可编程控制器电池供电的设备
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