InGaAs光电二极管xsj - 10 m - 200 - 01

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Φ200μm监控PD芯片介绍这是一款具有大有源面积的顶照InGaAs/InP监控PIN光电二极管芯片，它是平面结构，顶部为阳极，背面为阴极。有效面积Φ200μm，响应度高(典型。: 1310海里:1.02 / W, Typ。: 1550nm: 1.1A/W)，在980nm至1620nm波长范围内。●平面结构在n+ InP衬底上，顶部阳极接触。●Φ200μm活跃区。●高责任。●暗电流低。●低工作偏置电压。●-40℃至85℃工作范围。●可靠性高:所有芯片均通过Telcordia -GR-468-CORE认证要求。 ● 100% testing and inspection. ● Customized chip dimension is available. Applications ● Back facet laser power monitoring.