InGaAs光电二极管xsj - 10 m - 200 kb

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Φ200μm底照监测PD芯片介绍:InGaAs/InP监测PIN光电二极管芯片具有大的有源面积，它是平面结构，顶部为阳极和阴极，背面为入射面。具有Φ200μm底照面积，在980nm - 1620nm波长范围内响应度高(1310nm:1.02A/W, 1550nm: 1.1A/W)。适用于各种LD的后端面输出光功率的监测。●底部照明:Φ200μm活动区域。●高责任，低暗电流。●阳极和阴极在顶部。●ESD高阈值:>500V。●-40℃至85℃工作范围。●可靠性高:所有芯片均通过Telcordia -GR-468-CORE认证要求。●100%试验和检验。 ● Customized chip dimension is available. Applications ● Back facet laser power monitoring.