该芯片采用平面结构,顶部为阳极,背面为阴极,具有大的有源面积,顶照InGaAs/InP监测PIN光电二极管。具有220 μmX140μm的有源面积,高ESD和低暗电流特性,在980 ~ 1620nm波长范围内具有高响应性(1310nm:1.0A/W, 1550nm: 1.08A/W)。●平面结构在n+ InP衬底上,顶部阳极接触。●活性面积200μmX140μm。●高责任。●暗电流低。●低工作偏置电压。●-40℃至85℃工作范围。●可靠性高:所有芯片均通过Telcordia -GR-468-CORE认证要求。●100%试验和检验。 ● Customized chip dimension is available. Applications ● Back facet laser power monitoring.