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场效应MOSFET模块DMG, DMS系列
权力
肖特基二极管
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这种产品比较
特征
- 类型
- 场效应
- 技术
- 权力
- 其他特征
- 肖特基二极管
- 电压
-
30 V
- 当前的
-
马克斯。12.7
最小值。7一个
描述
DIOFET是一种专利技术，它将功率MOSFET与肖特基二极管集成到单个硅芯片中。集成肖特基降低了近50%的正向电压降的体二极管，也有一个较低的反向恢复电荷。在实际应用中，这意味着降低了传导和开关损耗，总体上电路将在降低工作温度的情况下以更高的效率运行。此外，DIOFET是一种雪崩过程，器件具有较低的栅极电容比，以降低击穿电流的风险。DIOFET非常适合用于计算，电信和工业应用的负载点(PoL) DC-DC转换器，包括:笔记本电脑，上网本和笔记本机顶盒服务器和台式电脑电信设备
