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InGaAs光电二极管xsj - 10 - d3 - 80
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这种产品比较
特征
- 类型
- InGaAs
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描述
该1.25Gbps光电二极管芯片(1.25Gbps数字PIN PD芯片)为InGaAs/InP PIN平面结构，顶照有源面积Φ80μm。该特征是低暗电流(典型。: 0.05nA)，低电容(典型值。: 0.55pF)，高响应(1310nm:1.02A/W, 1550nm:1.1A/W)和卓越的可靠性。适用于1.25Gbps及以下数字接收机和EPON ONU。特点:Φ80μm活动区域。●高反应性。●暗电流低。●低工作偏置电压。●可靠性高:所有芯片均通过Telcordia -GR-468-CORE认证要求。●100%试验和检验。 Applications ● ≤1.25Gbps and below digital receiver. ● EPON ONU.
