该10Gbps雪崩光电二极管芯片(APD芯片)是一种地-信号-地(GSG)电极结构,顶照有源面积为Φ35μm。该产品的特点是高乘法(典型。: M>10, @VBR-2V),低电容(典型值。: 0.16pF),高带宽(典型。: 8.0GHz, @M=10),低温系数(典型。适用于10Gbps SONET/SDH和10Gbps PON光接收机。特点:Φ35μm活动区域。●高乘法。●高数据速率。●温度系数低。●可靠性高:所有芯片均通过Telcordia -GR-468-CORE认证要求。●100%试验和检验。 Applications ● 10Gbps SONET/SDH. ● 10Gbps PON.