NAND存储芯片69年fxxg16

异步

DDC 64、128和256gb高密度NAND闪存具有x16宽总线。该NAND闪存采用了单层单元(SLC) NAND技术。由于每个存储单元存储1位数据，SLC NAND提供了快速的读写能力和启动时间，出色的持久性和可靠性。DDC专利的RAD-PAK封装技术在微电路封装中集成了辐射屏蔽。它消除了盒屏蔽的需要，同时提供所需的辐射屏蔽终身在轨道或空间任务。根据不同的空间任务，RAD-PAK提供超过100 krads(Si)的总剂量耐受能力。该产品可提供高达DDC微电子自定义的s级屏蔽。/ 256gb支持更高的设计，更小的电容/更少的I/O驱动NAND闪存接口单电平单元(SLC)技术ONFI 2.2兼容工作电压VCC 3.0 ~ 3.6V VCCQ 1.7 ~ 1.95V或3.0 ~ 3.6V页面大小8640字节(8192 + 448个备用字节)支持外部BCH校正算法(每540字节16位校正)功能高可靠性的数据存储，适用于要求高的空间应用陶瓷密封封装内置TID屏蔽E, I，H或K加速到异步计时模式5 (50MT/秒)温度范围-55°C到125°C续航能力典型60000循环