记忆芯片

RoHM的串行EEPROM系列针对显示器以及即插即用进行了优化记忆模块。特点:・兼容DDC1 / DDC2・每秒1比特(128个单词x 8位)连续eepm・宽工作电压范围:2.5……

Rohm的高可靠性串行EEPROM命令大型市场份额，可在一系列能力，总线接口（微针，I²C，SPI），工作电压（1.7V至5.5V，1.8V至5.5V，2.5V至5.5V，3.0V至3.6V）和包装......

内存容量：8,6,5,4,2 GB

DDC的DDR2 SDRAM是第一个也是唯一一个密封的陶瓷DDR2记忆对于空间，并且具有高达8英镑的高速操作记忆。可选的RAD-PAK®屏蔽提供更大的总体......

内存容量：64,128,256,12,24 GB

...... NAND Flash提供X16宽巴士。该NAND Flash使用单级单元（SLC）NAND技术。存储1位数据记忆单元格，SLC NAND提供快速读写功能和启动时间，良好的耐用性......

内存容量：8 GB.

gddr6，下一个图形德拉姆产品，具有增加的性能和降低的功耗，为3D图形和8K分辨率提供优化的解决方案。GDDR6是高性能应用的关键成分......

...... kbits到32 mbits。用户可以在包含电池的DIP封装中选择完全集成的解决方案，或者表面贴装SOIC包，可允许旋流可拆卸或消耗电池。

对于串行EEPROM设备，Atmel被认为是领先的供应商之一，在过去的10年里，它运送了大约120亿台设备。串行EEPROM用于保存个人偏好和配置数据。

卓越的速度，高可靠性，低能耗高表现记忆赋予更快，强大的解决方案。三星DDR4通过更低的能量提供更好的带宽和可靠性的顶级速度。一个 ...

NAND型闪光灯记忆一直在改变记忆细胞结构，细胞尺寸和功能，并增加其容量和降低其成本通过缩小规模迅速促进。......

...临时缓冲区或者更大的地方记忆SoC设计中需要实例。高速记忆对于性能至关重要的设计高密度记忆主流和成本......