钽电容器

电压: 4、6、10、16 V
电容: 10µF - 220µF

钽电容器提供更大的电容更紧凑的形状因子，以及优越的温度和直流偏置特性与陶瓷芯片相比电容器。此外,……

电压: 3v ~ 35v
电容: 0.33µF - 220µF

底面电极钽电容器(TCT/TC)底电极结构允许在相同体积下有更大的电容。

电压: 4v ~ 25v
电容: 1µF - 100µF

采用先进的半导体制造技术，为晶体管和二极管开发稳定的质量控制和卓越的生产力。有两种包装类型，P案例[2012-12(0805英寸)尺寸]和一个案例[3216-18(1206英寸)尺寸]，…

电压: 3v ~ 35v
电容: 4.7µF - 1500µF

设计坚实，芯片可靠性高电容器Panasonic POSCAP™固态电解质芯片电容器提供稳定的电容在高频率和温度，低esr /ESL。这些电容器…

电压V: 6
电容: 0.47µF - 10µF

…设备的增加,电容器具有更低的ESL和更高的容量是抑制电压波动或噪声对策的电源集成电路所必需的。TDK的t3-terminal馈通MLCCs是低esl大容量…

电容: 1µF - 72,000µF

…弹性体密封，烧结阳极钽ex®电容器满足工业、汽车和电信应用所需的高质量、可靠设计的基本要求。模型……

电压: 16v ~ 100v
电容: 10µF - 560µF

电容: 0.1µF - 470µF

…TangoldTM结构由于具有高增益的固体段塞而提供了优越的性能和宽电容范围钽真空烧结的粉末。阻燃环氧树脂模塑确保最佳的环境…

电容: 0µF - 1000µF

特点•流化床工艺•新的缩小尺寸•阻燃涂层•低泄漏电流和阻抗•特殊的温度稳定性