JFE150是一个Burr-Brown™离散JFET,使用德州仪器的现代,高性能,模拟双极工艺。JFE150的性能在以前的离散JFET技术中是不可用的。JFE150提供最大可能的噪声功率比效率和灵活性,其中静态电流可以由用户设置,从50µA到20 mA的电流产生优良的噪声性能。当偏压在5 mA时,该设备产生0.8 nV/√Hz的输入参考噪声,在极高的输入阻抗(> 1 TΩ)下提供超低噪声性能。JFE150还具有集成二极管连接到单独的钳位节点提供保护,而不添加高泄漏、非线性外部二极管。JFE150可以承受40-V的高漏源极电压,以及低至-40 V的门源极和门漏极电压。温度范围为-40℃~ +125℃。该设备提供5针SOT-23和SC-70封装。