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升华炉baSiC-T
晶体生长
贝尔
气体
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特征
- 函数
- 升华,晶体生长
- 配置
- 贝尔
- 热源
- 气体
- 其他特征
- 对锭
- 最高温度
-
温度:600°c(4712°f)
描述
PVA TePla物理气相输运系统baSiC-T是专为碳化硅(SiC)晶体在高温下的升华而设计的。baSiC-T系统设计基于模块化概念，允许使用直径达6´´的基质(种子)。新一代SiC PVT晶体生长炉专为电力电子应用设计，自动化水平高，可大规模生产Fab管理软件解决方案占地面积小，布局紧凑可用于4´´和6´´感应加热，使用现场验证的线圈设计高级控制系统，操作直观，自动化程度高，流程可视化，增强趋势功能，离线配方设置解决方案，通过一系列参数，提供大量配方选项，长期工艺数据记录，长期数据检索控制系统和可视化独立工作(安全概念)系统控制循环由一系列参数配置卓越的安全概念CE符合性不同级别的系统安全组件确保安全运行质量测量和扩展的质量文件与客户密切合作机构和零部件供应商
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