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InGaAs光电二极管XSJ-10-APD5-40S
雪崩

InGaAs光电二极管
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特征

类型
InGaAs,雪崩
越来越多的

描述

该10Gbps雪崩光电二极管芯片(APD芯片)是一种地面信号(GS)电极结构,顶部被照亮的活性面积大小为Φ40μm。该产品具有高倍率、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性好等特点,应用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机中。功能Φ40μm活动区域。高的乘法。高数据速率。温度系数低。优异的可靠性:所有芯片都通过了Telcordia -GR-468-CORE的认证要求。100%测试和检验。应用10G SONET/SDH 10G PON
*价格是税前的。它们不包括运费和关税,也不包括安装或激活选项的额外费用。价格只是指示性的,可能因国家的原材料成本和汇率的变化而有所不同。