Magneto-resistive运动传感器KMT32B系列

KMT32B系列磁性AMR角度传感器是基于各向异性磁阻效应，即在磁场强度为H>25 kA/m时，独立感知磁场方向。产品类型:磁角传感器封装:SO8, TDFN2.5x2.5传感范围(°):0 - 180信号输出:无源模拟典型信号幅值(mV/V): 11平行于芯片表面(x-y平面)的旋转磁场将输出两个独立的正弦输出信号，一个跟随cos(2)，另一个跟随sin(2)函数，被传感器和磁场方向之间的角度(见图2)。KMT32B磁场传感器适合高精度角度测量的应用在例行的场强H0≥25 kA / m(例如生成与磁铁从67.044 Magnetfabrik波恩在室温下的距离5.2毫米)。在精度降低的情况下，KMT32B AMR角度传感器可用于场强H0≥14 kA/m(室温;注意地球磁场的影响!)。大多数磁体的磁场强度随温度而减小，但磁场方向不变。优点非接触式角位，适合恶劣环境设计优化线性度高精度低成本低功耗自诊断功能吸引人的SMD封装用户对信号评估有完全的控制扩展工作温度范围(-40°C至+150°C，可要求+160°C)