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熔化炉ta - 200
晶体生长
室
电
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这种产品比较
特征
- 函数
- 融化,晶体生长
- 配置
- 室
- 热源
- 电
- 最高温度
-
马克斯。温度范围:350°c(6332°f)
最小值。温度:0°c(32°f)
描述
我们用Czochralski方法生长实验室尺寸晶体的成本最低的炉是我们的电弧熔体炉TA-200，具有晶体生长选项。该选项增加了用于半导体材料(硅、锗和砷化镓)、金属、盐和合成宝石的单晶生长的所有组件。该炉采用三道电弧，可熔化3500°C以上的材料。附着在种子棒上的水晶种子，然后降低到2″(50毫米)坩埚中，容纳熔体。控制程序是用来拉生长中的晶体的。拉拔速度可调，控制精确，低至0.001 mm/min。一个单独的电机提供旋转3/8“种子杆，最大拉力高度为7″(176毫米)。底部坩埚还可配备旋转电机。
