单极开关ADRF5345

防静电 射频 无线

反射设计低插入损耗0.35 dB ~ 2.8 GHz典型0.40 dB ~ 3.8 GHz典型高功率处理TCASE = 105°C长期(>10年)平均连续波功率:39 dBm LTE信号平均功率:39 dBm峰值功率:49 dBm高输入线性度，IP3: 84 dBm典型ESD评级HBM: 2000 V, Class 2 CDM:单电源操作，集成NVG正极控制，LVCMOS /LVTTL兼容4mm x 4mm, 22端LGA封装ADRF5345是一种高线性度，反射，单极，四抛(SP4T)开关，在硅工艺中制造。ADRF5345工作在1.8 GHz到3.8 GHz之间，典型插入损耗低于0.40 dB，典型输入IP3为84 dBm。该设备对连续波信号的射频输入功率处理能力为39 dBm，对长期演进(LTE)信号的平均功率处理能力为39 dBm，峰值功率处理能力为49 dBm。ADRF5345集成了一个负电压发生器(NVG)，以一个5v (VDD)的单正电源应用于VDD引脚，引出2ma的电源电流。该器件采用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) /低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。ADRF5345采用4mm × 4mm、22端子、符合rohs标准的陆网阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。5G天线倾斜无线基础设施军事和高可靠性应用测试设备Pin二极管替换