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SMD电容
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电压: 4、6、10、16 V
电容: 10µF - 220µF
钽电容器提供更大的电容更紧凑的形式因素,以及优越的温度和直流偏置特性与陶瓷芯片电容器。此外,……
罗姆半导体

电压: 3v ~ 35v
电容: 0.33µF - 220µF
底部表面电极钽电容器(TCT/TC)底电极结构允许在相同体积下有更大的电容。
罗姆半导体

电压: 4v ~ 25v
电容: 1µF - 100µF
采用先进的半导体制造技术,为晶体管和二极管开发稳定的质量控制和卓越的生产力。有两种包装类型,P案例[2012-12(0805英寸)尺寸]和一个案例[3216-18(1206英寸)尺寸],…
罗姆半导体

电压: 450v ~ 1200v
电容: 5µF - 100µF
PCB用直流环节电容器,适用于离网PV逆变器、工业驱动器、UPS等电力电子设备。

电压: 500v ~ 1100v
电容: 5µF - 65µF
亮点特点高Irms额定值高Ipeak额定值低自感高可靠性和预期寿命非极性应用离网光伏逆变器低功率UPS/变频逆变器

电压: 6v ~ 100v
电容: 1000µF
铝电解电容器额定电压范围- 6.3 ~ 100Vdc电容公差-±20% (M)(在20’C,120Hz)泄漏电流…

电压: 20 kV
电容: 0.51µF
特点·低损耗·高稳定性·小尺寸高电容·弯曲(首选)或直引线·符合RoHS指令2002/95/EC典型应用·直流高压·脉冲高压·…
鞍山市力升电子有限公司

电压: 20 kV
电容: 0.22µF
特点·低损耗·高稳定性·小尺寸高电容·弯曲(首选)或直引线·符合RoHS指令2002/95/EC典型应用·直流高压·脉冲高压·…
鞍山市力升电子有限公司

电压: 20 kV
电容: 0.35µF
特点·低损耗·高稳定性·小尺寸高电容·弯曲(首选)或直引线·符合RoHS指令2002/95/EC典型应用·直流高压·脉冲高压·…
鞍山市力升电子有限公司

电压: 200v ~ 450v
电容: 1µF - 50µF
塑料包。阻燃环氧树脂注塑成型;小尺寸。易于安装;无感结构。ESL低。ESRsmall.low temperature rise.long life and so on; High frequency harmonic current.high DV/DT bearing capacity.

电压: 2v ~ 35v
电容: 15µF - 820µF
…高电压电容器松下行业领先的SP-Cap™聚合物铝电容器,是表面安装(SMT)电容器它们使用导电聚合物作为电解质材料…
美国松下电器公司

电压: 25, 4, 10, 16, 6 V
电容: 0.001 nF - 470 nF
SCOPE本规范描述01005 NP0/X5R系列芯片电容器无铅终止妊娠。应用程序移动模块功能提供的磁带盘镍障端终止…
国巨

电压: 100v - 630v
电容: 0µF - 0.15µF
制造多层陶瓷芯片电容器更紧凑,更大的容量,我们利用TDK先进的材料技术,使颗粒尺寸超细。通过把我们的原始加工…

…电解用无焊点安装系统电容器这就省去了通常用于pcb电气和机械连接的焊接、粘合剂或夹钳等二级工序。这电容器…

电压V: 3
电容: 4.7µF
…通用数字电路电源旁路电容器液晶模块液晶驱动电压线LSI, IC,转换器(用于输入和输出)平滑电容器…
太阳诱电

电压: 250v - 1000v
电容: 0.15µF - 68µF
通过广泛使用塑料,Exxelia能够满足大多数技术需求。电影电容器在广泛的领域和应用,从高温(聚四氟乙烯)到电源(聚丙烯),…
EXXELIA

电压: 6v ~ 4000v
电容: 0 nF - 100,000 nF
新的X5R高电容介质提供更低的阻抗和ESR(特别是在更高的频率下),更低的成本…
RCD组件

电压: 50、100、200、630 V
电容: 0 nF - 3.3 nF
Frontier的0201H系列超高q, 0201 EIA(0603米制)外壳尺寸多层陶瓷电容器已被设计为非常可靠和健壮的性能,高达1GHz。Frontier的H系列显示出高q…

电容: 0 F - 0.082 F
圆柱形v型芯片结构耐高温,延长寿命(5000小时@ 105°C) 4X6.1mm ~ 10X10.5mm外壳尺寸
NIC组件

…阻塞X中的电流电容器安全放电电阻,减少功率损失小于5mw,或基本上零*在230伏交流电。当交流电压断开,CAPZero自动放电X电容器…
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